阈值电压的公式（阈值电压的公式是什么）
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如何测迟滞比较器的阈值电压
1、一般采用计算的方法就能得到比较阀值。如果一定要测的话，可以从输入端分别给高、低两个电平。在其参考端测量就可以了。这时候，应该能够测出两个不同的电压阀值。
2、我们只需用万用表直流电压档先测量一下3脚U∑对地电压值，就可知输入电压Ui为多大值时，输出端Uo必然发生反相跳变。两次测量U∑，可知U0从U+跳变到U-时和U-从变到U+时Ui的临界值。
3、用叠加定理UT=UP=±6*R4/（R3+R4）+2*R3/（R3+R4）=±5+5 UT阈值电压是0V、3V 输入信号加到反相输入端，输出电压与输入反向变化。
4、滞回比较器的阈值电压并非一个固定的值，而是根据具体电路设计和应用需求来设定的。它通常包括两个阈值，即上阈值电压和下阈值电压，这两个阈值电压决定了比较器输出状态切换的电平。滞回比较器，又称迟滞比较器，是一种具有滞后特性的电压比较器。
mosfet规格书中vgs的第三个参数应该怎么理解?
1、在MOSFET规格书中，VGS（栅极-源电压）的第三个参数是评估该器件性能的关键指标。这个参数值是在特定测试条件下测量的，它表示当栅极电压VGS保持在一个固定的电压水平，并且这个电压的上升沿被定义为一个25纳秒（ns）的脉冲时，MOSFET能够在多高的工作频率下稳定地工作。
2、strongVGS的第三个参数，实际上指的是该元器件在特定测试条件下的性能指标。 这个参数并非孤立存在，它描绘的是当mosfet的栅极（Gate）持续接收到一个特定电压值，即VGS，同时这个电压的上升沿被设定为一个25纳秒（ns）的快速脉冲时，mosfet能否稳定地在高频开关模式下正常运行和表现出高效能的特性。
3、阈值电压（Gate-source threshold voltage，VGS（th），测试条件：结温25℃，VDS=VGS， ID为某定值（如1mA）；其值为典型值（如3V，通常还会给出最小值/最大值和高温典型值）；每家均有；其含义为栅-漏短接施加电压，当漏极电流达到某定值时刻的栅-源电压值。
MOSFET中跨导的计算问题
1、MOSFET跨导的计算公式为g_m = ΔI_D / ΔV_GS，其中g_m代表跨导，ΔI_D代表漏极电流变化量，ΔV_GS代表栅源电压变化量。解释：MOSFET的跨导是衡量其性能的一个重要参数。跨导描述了当栅源电压变化时，漏极电流随之变化的能力。计算跨导的公式为g_m = ΔI_D / ΔV_GS。
2、在MOSFET中，计算跨导（g）主要通过偏导数方法进行。首先，需要确定MOSFET的工作区域。若Vds小于Vgs减去阈值电压Vt（case1，线性区），跨导g可以表示为：g = u*Cox*（W/L） * [（Vgs-Vt）*Vds - 0.5（Vds^2）]，其中u是迁移率，Cox是单位栅电容，W和L是MOSFET的宽度和长度。
3、通过跨导的定义，对公式1进行求导，得到公式2。通过替换公式中的晶体管尺寸W/L和过驱动电压Vgs-Vth，得到公式3和公式4。这三式皆可求得跨导gm，它们之间的应用取决于电路设计阶段。在设计初期，常使用公式2，通过调整过驱动电压Vgs-Vth来优化漏端电流Id和跨导gm。
阈值电压的求法
1、正确的计算方法是，根据线性区的电流方程： 我用Hspice仿真的方法，用A、B两种方法计算了某0.18um工艺中NMOS的阈值电压，取VDS=0.1V。
2、Vth=Vrefx[R2/（R1+R2）]。单限比较器阈值电压可以通过以下公式求得：Vth=Vrefx[R2/（R1+R2）]其中，Vth表示阈值电压值，Vref表示参考电压值，R1和R2分别为比较器的两个电阻。
3、-0.7-3）/2R1 X R1 +3V 这就是输出高电平时，反相端要达到的阈值电压。
4、一般是利用I对V的偏导求。注意，这时候需要先判断MOS处于什么工作区域。
5、Vth_lin是用所谓的固定电流法得来，常用的判据是0.1uA*W/L，Vds置于Vdlin，扫Vgs从0-Vgg，当Ids等于前述判据时即认为Vgs=Vth_lin Vth_sat与前述Vth_lin用同样方法得来，只不过提取时Vds置于饱和电压Vdd。具体的内容请参考Narrain Arora的《用于VLSI模拟的小尺寸MOS器件模型理论与实践》。
6、首先，需要确定MOSFET的工作区域。若Vds小于Vgs减去阈值电压Vt（case1，线性区），跨导g可以表示为：g = u*Cox*（W/L） * [（Vgs-Vt）*Vds - 0.5（Vds^2）]，其中u是迁移率，Cox是单位栅电容，W和L是MOSFET的宽度和长度。求偏导后，g与Vgs的依赖关系便显现出来。
